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MSP3V3, MSP5.0A
www.vishay.com
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T A = 25 °C unless otherwise noted)
Vishay General Semiconductor
150
t r = 10 μ s
t r = 8 μ s
T J = 25 °C
Pul s e Width (t d ) i s
defined a s the Point
1000
Mea s ured at Zero Bia s
100
Peak Value
I PPM
Half Value - I PP
Where the Peak Current
decay s to 50 % of I PPM
50
I PPM
2
t d = 1000 μ s
t d = 20 μ s
Mea s ured at S tand-off
Voltage, V WM
T J = 25 °C
0
0
t d
1.0
2.0
3.0
4.0
100
3
3.5
4
4.5
f = 1.0 MHz
V s ig = 50 mV p-p
5
5.5
6
100
t - Time (m s )
Fig. 1 - Pulse Waveform
Non-Repetitive Pul s e
1.2
V WM - Rever s e S tand-Off Voltage (V)
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance
T A = T M , Mounted on
Waveform S hown in Fig. 1
T A = 25 °C
1.0
6.0 mm x 6.0 mm Copper Pad
10
0.8
1
0.6
Mounted on Minimum
Recommende Pad Area
0.4
0.1
0.01
0.24 " x 0.24 " (6.0 mm x 6.0 mm)
Copper Pad Area s
0.2
0.0
0.1
1
10
100
1000
10 000
0
25
50
75
100
125
150
175
100
t d - Pul s e Width (μ s )
Fig. 2 - Peak Pulse Power Rating Curve
1000
Ambient Temperature (°C)
Fig. 5 - Power Dissipation Derating Curve
Junction to Ambient
75
50
25
0
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Initial Temperature (°C)
Fig. 3 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature
t - Pul s e Duration ( s )
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Revision: 10-Dec-13
3
Document Number: 88486
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